长鑫存储和长江存储分别作为国内DRAM和NAND Flash龙头,是中国最重要的两家存储芯片公司,其IPO进度进一步加快。
2025年5月17日,长鑫存储更新科创板IPO招股说明书;据5月20日上交所最新消息显示,长鑫科技IPO将于5月27日上会。
2026年5月19日,国内集成电路存储领域领军企业长江存储控股股份有限公司(长存集团)正式启动IPO辅导备案。
研究院产业研究部与鲸芯投资今年3月份,在【芯动态】系列产品中,撰写了一篇《存储涨价对琴珠澳半导体产业影响分析》报告,提出“2026年国内存储将进入金融大年”的观点。随着长鑫和长存上市进一步加快,这一判断正加速从预期走向现实。
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中国存储重要发展历程
中国存储行业历经多年摸索、奋起和坚守,取得了显著成就,让国产存储芯片在全球市场中占据了一席之地。
2016年以前:起步探索与追赶布局期
从1958年“109厂”起步,我国存储产业历经数十年探索:1975年研制出首块1K DRAM,此后陆续突破4K、16K、64K乃至256K;1990年清华研制成功1M位汉字ROM。90年代NEC在华合资项目虽未成功,却培养了首批存储人才。进入21世纪,中芯国际曾代工DRAM后退出;兆易创新在NOR Flash领域持续突破,中科院在PCRAM、RRAM、MRAM等新型存储上取得自主成果。这些积累为后续跨越奠定了基础。2016年是中国大陆存储器产业发展的真正元年,晋华集成、合肥长鑫和长江存储三大公司相继成立,拉开国家战略布局序幕。
2017-2019年:技术持续突破
在此阶段,国内存储技术密集突破。2017年,长江存储成功研发32层3D NAND闪存芯片;同年,中科院与北航联合制备出国内首个80纳米STT-MRAM器件。2018年,长江存储32层3D NAND芯片获首笔订单并量产;合肥长鑫建成国内首座12英寸DRAM厂并率先投片。2019年,长江存储64层256Gb TLC 3D NAND投产;合肥长鑫正式投产,19纳米8Gb DDR4出货。2019年,中国存储实现了DRAM与NAND Flash双线产业化突破,这一年可视为中国存储产业化的元年。
2020-2025年:从消费电子主导转向服务器主导的产业发展需求
自2025年9月起,存储芯片价格开始持续上涨,从服务器DRAM扩展至全品类。此轮涨价和2016-2018年、2020-2023年的存储涨价有明显差异。2016-2018年是由智能手机的升级换代驱动。2015年上市的iPhone 6S,标配2GB运行内存与16GB存储容量;至2018年发布的iPhone XS,运行内存已提升至4GB,存储容量逐步迭代至64GB,带动智能手机端存储芯片需求大幅增长。2020-2023年是由线上经济、居家办公等场景拉动PC等终端出货量增长,带动存储芯片需求增长。而2025-2026年的存储涨价,在需求侧人工智能的爆发是存储芯片涨价最直接的原因;在供给侧,随着SK海力士在HBM领域的领先地位和市场份额的增长,以及三星和美光的市场策略,DRAM市场的寡头垄断格局进一步加剧,导致市场供给紧张。
2026年及以后:存储大年即将来临
2026年将进入存储的金融大年,核心标志在于长江存储与长鑫存储(即“两存”)的IPO进程加速,带动存储产业链资本化。若两存成功上市并获得持续融资能力,意味着中国存储产业具备了与国际巨头(三星、海力士、美光)在资本层面进行长期持久战的能力。除“两存”外,一大批存储企业在港股、A股密集冲刺上市。自2025年下半年以来,至少十家存储产业链企业递交IPO申请或进行上市辅导,覆盖芯片设计、模组制造、分布式存储解决方案等多个细分领域,存储产业链的资本化进程已全面加速。
AI驱动下存储发展现状 从生成式AI到AI智能体,推理对存储的需求未来将会大幅增长
大模型对存储的带动分为训练和推理,两者对存储需求有区别。训练过程通常依托于预先准备完成的海量静态数据集,该类数据在总量上相对可控、结构规则且具备可预测性,整体上更接近于一次性的学习阶段。在生成式AI场景,训练大模型需要存储极高吞吐量、低延迟以及对海量数据的并行访问能力,所产生的显存消耗以及整体存储容量需求高于推理阶段。推理任务具有请求粒度小、并发程度高、上下文长度差异显著以及对延迟要求严格等特点,属于持续性的应用过程。为避免重复计算,系统需保留大量的键值缓存(KV Cache),该缓存在每一次生成token时均会被访问,对延迟高度敏感,成为显存占用与带宽消耗的关键因素。在AI智能体场景,需要高带宽预填充数据,在逐词生成时,对延迟要求极为苛刻,对存储的需求也将进一步跃升。现在,AI从“生成式”向“智能体”迈进,意味着AI的重心环节已从部署训练转向推理,因此推理对存储的需求在未来将会急剧增长。
AI推理带来存储需求爆发和存储范式升级
推理带来存储需求的提升主要体现在三个维度。一是KV Cache成为推理系统标配,推动HBM、DRAM、SSD搭配扩容。KV Cache相当于大模型考试答卷前的草稿纸,会把之前计算过的中间结果保存下来,下次用到的时候直接调用。不同层级的存储各司其职,HBM承担热点计算与高频访问,DRAM处理中频访问,SSD则存放冷数据或长期缓存,目前普遍采用HBM+DRAM+SSD的多层缓存方案。二是对话与推理模式升级,模型在拆解问题后,还会产生多环节交互和数据读写,Token消耗量显著增加,对DRAM/SSD的需求增加。三是多线程与长上下文处理,推高存储峰值压力与扩容需求。
端侧AI是释放存储需求的稳定路径
除了前述云端AI服务器的庞大需求外,端侧需求也是存储需求稳定释放的另一条路径。端侧AI包括智能穿戴、人形机器人、AI PC等,在端侧设备上运行AI推理具有多重优势,包括降低延迟、增强隐私性并减少对网络连接的依赖。当前,AI产业的发展正在从单纯的云端大模型训练,走向“云+端”协同,为了让AI眼镜、机器人等设备在本地实现低延迟、高隐私的实时决策,设备必须配备高性能、大容量的本地存储,持续拓展存储市场的增长空间。
琴珠澳产业发展现状及发展建议 产业发展现状
珠海拥有5家与存储直接相关的企业。珠海存储产业呈现出三个特点:一是具备较为完备的存储上下游产业链发展基础;二是已在存储领域实现了“横琴研发+珠海制造”的琴珠合作模式;三是珠海积极探索以新型存储器技术为突破口,形成差异化竞争优势。横琴在存储芯片设计与模组研发领域形成了优势,同时上市公司为横琴的存储产业提供了技术支撑与资本助力。澳门目前尚未形成规模化半导体产业生态,但持续拓展存储企业发展国际总部的布局。
发展建议 1.牢牢把握半导体存储产业的黄金发展期与资本市场窗口期叠加的战略机遇,集中优势资源,推动区域内具有上市潜力的企业加速上市和被并购步伐。 2.利用制度、税收和资金流动优势,吸引佰维存储、德明利等国内头部存储设计、制造和模组企业在横琴设立区域总部或研发中心,在澳门设立亚太总部或研发中心。 3.在横琴和澳门充分利用存储模组企业在巴西产能布局,推动澳门建设“中国-葡语国家存储产业合作平台”;在珠海以链主企业为引领,推动产业链联动,吸引一批供应链企业加速落地,打造先进封装产业集群。
珠海高新区主园区位于珠江口西岸、粤港澳大湾区“黄金内湾”前沿,其核心地理优势体现为“三桥”枢纽:依托深中通道(距离20公里)融入深圳“一小时经济圈”,借力港珠澳大桥(距离18公里)直连港澳,并前瞻性布局规划中的深珠通道(公铁复合,前期研究加速),未来将实现深珠30分钟直达。区内汇聚中山大学、北京师范大学、北京理工大学、北师港浸大四所高校,形成强大智力引擎,集聚24名院士与超8万名产业人才。2025年,高新区地区生产总值达408.42亿元,已形成半导体与集成电路、人工智能与机器人等五大百亿级产业集群,拥有超755家高新技术企业,并打造了超300万平方米的“5.0产业新空间”及一系列针对性产业政策,正全力建设珠西科学城核心区与大湾区新质生产力主阵地。

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