半导体之光刻工艺

曝光技术是光刻工艺中重要的一步，主要分为两种：UV曝光和激光曝光。

UV曝光是使用UV光将设计好的电路图形模式转化为实际电路板的技术，激光曝光是使用激光将设计好的电路图形模式转化为实际电路板的技术，UV曝光中的波长分布如下：

曝光技术在光刻工艺中扮演着重要的角色，通过使用不同的曝光技术可以实现不同的功能，在制造电路板的过程中起至关重要的作用。因此，在光刻工艺中要求曝光技术的精度要高，以保证线路板的功能和使用寿命。

晶圆离开光刻机后，要再次进行烘烤，以减少驻波效应，激发化学增强光刻胶的PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之溶解于显影液。

后烘之后，把之前曝光的部分溶解清除，光掩模上的图形就复现在了光刻胶上，这就是显影。

再次烘烤，完全蒸发掉光刻胶里的溶剂，以提高光刻胶在离子注入或蚀刻中保护下表面的能力，进一步增强光刻胶和硅片之间的粘附性，减少驻波效应，使光刻的图案永久固定。

硬烘完成后，使用气体等材料去除多余的空白部分，形成3D电路图案。

光刻胶的主要功能是在整个区域进行化学或机械处理工艺时，保护光刻胶下的衬底部分。所以当蚀刻或离子注入之后，已经不再需要光刻胶作保护层，可以将其除去，这一步骤简称去胶 。最后再次清洗去除表面污物，整个光刻工艺就完成了。